+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: mlccchips@gmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  5. BCR198B6327HTLA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
BCR198B6327HTLA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
BCR198B6327HTLA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

BCR198B6327HTLA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Дискретные полупроводниковые приборы     TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Номер производителя:
BCR198B6327HTLA1
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
BCR198B6327HTLA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition :
190MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
200mW
Resistor - Base (R1) :
47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
47 kOhms
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SOT23-3
Transistor Type :
PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
36,655
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BCR198B6327HTLA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BCR198B6327HTLA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BCR198B6327HTLA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BCR198B6327HTLA1. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BCR198B6327HTLA1 Особенности

BCR198B6327HTLA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, the size is TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT23-3.
  

BCR198B6327HTLA1 Подробная информация о продукции

:
BCR198B6327HTLA1 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BCR198B6327HTLA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR198B6327HTLA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR198B6327HTLA1 (PDF), цена BCR198B6327HTLA1, Распиновка BCR198B6327HTLA1, руководство BCR198B6327HTLA1 и решение на замену BCR198B6327HTLA1.
  

BCR198B6327HTLA1 FAQ

:
1. What is the maximum collector current (Ic) rating for BCR198B6327HTLA1?
The maximum collector current (Ic) rating for BCR198B6327HTLA1 is 100 mA.

2. What is the typical collector-emitter saturation voltage (Vce(sat)) for BCR198B6327HTLA1 at a given collector current?
The typical collector-emitter saturation voltage (Vce(sat)) for BCR198B6327HTLA1 at a collector current of 10 mA is 0.35 V.

3. Can you provide the typical base-emitter saturation voltage (Vbe(sat)) for BCR198B6327HTLA1 at a specified collector current?
The typical base-emitter saturation voltage (Vbe(sat)) for BCR198B6327HTLA1 at a collector current of 10 mA is 1.15 V.

4. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BCR198B6327HTLA1 in a specific operating temperature range?
The maximum power dissipation (Ptot) for BCR198B6327HTLA1 is 200 mW within the operating temperature range of -40°C to +150°C.

5. Could you specify the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BCR198B6327HTLA1?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BCR198B6327HTLA1 is 500 K/W.

6. What is the storage temperature range for BCR198B6327HTLA1?
The storage temperature range for BCR198B6327HTLA1 is -55°C to +150°C.

7. Can you provide the typical input current (Iin) for BCR198B6327HTLA1 at a given input voltage?
The typical input current (Iin) for BCR198B6327HTLA1 at an input voltage of 5 V is 50 µA.

8. What is the typical output current (Iout) capability of BCR198B6327HTLA1 at a specified output voltage?
The typical output current (Iout) capability of BCR198B6327HTLA1 at an output voltage of 5 V is 100 mA.

9. Could you specify the typical output voltage (Vout) for BCR198B6327HTLA1 at a given load current?
The typical output voltage (Vout) for BCR198B6327HTLA1 at a load current of 10 mA is 3.3 V.

10. What is the maximum junction temperature (Tj) allowed for BCR198B6327HTLA1?
The maximum junction temperature (Tj) allowed for BCR198B6327HTLA1 is +150°C.
  

BCR198B6327HTLA1 Связанные ключевые слова

:
BCR198B6327HTLA1 Цена
BCR198B6327HTLA1 Техническая спецификация
BCR198B6327HTLA1 Картина
BCR198B6327HTLA1 PDF
BCR198B6327HTLA1 Технические характеристики
BCR198B6327HTLA1 Напряжение на выводе
BCR198B6327HTLA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：mlccchips@gmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BCR1" series products