+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: mlccchips@gmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  5. BCR192WE6327HTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
BCR192WE6327HTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
BCR192WE6327HTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

BCR192WE6327HTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

Дискретные полупроводниковые приборы     SC-70, SOT-323
Номер производителя:
BCR192WE6327HTSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
BCR192WE6327HTSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition :
200MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
SC-70, SOT-323
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
250mW
Resistor - Base (R1) :
22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
47 kOhms
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SOT323-3
Transistor Type :
PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
49,189
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BCR192WE6327HTSA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BCR192WE6327HTSA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BCR192WE6327HTSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BCR192WE6327HTSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BCR192WE6327HTSA1 Особенности

BCR192WE6327HTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, the size is SC-70, SOT-323, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT323-3.
  

BCR192WE6327HTSA1 Подробная информация о продукции

:
BCR192WE6327HTSA1 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BCR192WE6327HTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR192WE6327HTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR192WE6327HTSA1 (PDF), цена BCR192WE6327HTSA1, Распиновка BCR192WE6327HTSA1, руководство BCR192WE6327HTSA1 и решение на замену BCR192WE6327HTSA1.
  

BCR192WE6327HTSA1 FAQ

:
1. What is the maximum collector current (Ic) of the BCR192WE6327HTSA1?

The maximum collector current (Ic) of the BCR192WE6327HTSA1 is 100 mA.

2. What is the maximum collector-emitter voltage (Vce) of the BCR192WE6327HTSA1?

The maximum collector-emitter voltage (Vce) of the BCR192WE6327HTSA1 is 40 V.

3. What is the power dissipation (Ptot) of the BCR192WE6327HTSA1?

The power dissipation (Ptot) of the BCR192WE6327HTSA1 is 250 mW.

4. What is the DC current gain (hFE) of the BCR192WE6327HTSA1?

The DC current gain (hFE) of the BCR192WE6327HTSA1 is typically 200.

5. What is the storage temperature range for the BCR192WE6327HTSA1?

The storage temperature range for the BCR192WE6327HTSA1 is -55°C to +150°C.

6. What is the operating temperature range for the BCR192WE6327HTSA1?

The operating temperature range for the BCR192WE6327HTSA1 is -40°C to +125°C.

7. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for the BCR192WE6327HTSA1?

The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for the BCR192WE6327HTSA1 is 500 K/W.

8. What is the input voltage range for the BCR192WE6327HTSA1?

The input voltage range for the BCR192WE6327HTSA1 is 6 V to 40 V.

9. What is the output current capability of the BCR192WE6327HTSA1?

The output current capability of the BCR192WE6327HTSA1 is 100 mA.

10. What is the package type of the BCR192WE6327HTSA1?

The package type of the BCR192WE6327HTSA1 is SOT-23.
  

BCR192WE6327HTSA1 Связанные ключевые слова

:
BCR192WE6327HTSA1 Цена
BCR192WE6327HTSA1 Техническая спецификация
BCR192WE6327HTSA1 Картина
BCR192WE6327HTSA1 PDF
BCR192WE6327HTSA1 Технические характеристики
BCR192WE6327HTSA1 Напряжение на выводе
BCR192WE6327HTSA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：mlccchips@gmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BCR1" series products