+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: mlccchips@gmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  5. BCR192E6785HTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP SOT23
BCR192E6785HTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP SOT23
BCR192E6785HTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP SOT23

BCR192E6785HTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP SOT23

Дискретные полупроводниковые приборы     TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Номер производителя:
BCR192E6785HTSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS PREBIAS PNP SOT23
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
BCR192E6785HTSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition :
200MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Last Time Buy
Power - Max :
200mW
Resistor - Base (R1) :
22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
47 kOhms
Series :
Automotive, AEC-Q101
Supplier Device Package :
PG-SOT23-3
Transistor Type :
PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
48,991
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BCR192E6785HTSA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BCR192E6785HTSA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BCR192E6785HTSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BCR192E6785HTSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BCR192E6785HTSA1 Особенности

BCR192E6785HTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, the size is TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the Automotive, AEC-Q101 series, using PG-SOT23-3.
  

BCR192E6785HTSA1 Подробная информация о продукции

:
BCR192E6785HTSA1 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BCR192E6785HTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR192E6785HTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR192E6785HTSA1 (PDF), цена BCR192E6785HTSA1, Распиновка BCR192E6785HTSA1, руководство BCR192E6785HTSA1 и решение на замену BCR192E6785HTSA1.
  

BCR192E6785HTSA1 FAQ

:
1. What is the maximum collector current (Ic) rating for BCR192E6785HTSA1?
The maximum collector current (Ic) rating for BCR192E6785HTSA1 is 500mA.

2. What is the typical DC current gain (hFE) of BCR192E6785HTSA1 at a collector current of 100mA?
The typical DC current gain (hFE) of BCR192E6785HTSA1 at a collector current of 100mA is 250.

3. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BCR192E6785HTSA1 in free air at 25°C?
The maximum power dissipation (Ptot) for BCR192E6785HTSA1 in free air at 25°C is 625mW.

4. What is the voltage rating for the collector-emitter breakdown voltage (VCEO) of BCR192E6785HTSA1?
The collector-emitter breakdown voltage (VCEO) of BCR192E6785HTSA1 is rated at 40V.

5. What is the typical base-emitter saturation voltage (VBEsat) of BCR192E6785HTSA1 at a collector current of 100mA?
The typical base-emitter saturation voltage (VBEsat) of BCR192E6785HTSA1 at a collector current of 100mA is 1.1V.

6. What is the storage temperature range for BCR192E6785HTSA1?
BCR192E6785HTSA1 has a storage temperature range of -55°C to +150°C.

7. What is the typical input resistance (R1) of BCR192E6785HTSA1?
The typical input resistance (R1) of BCR192E6785HTSA1 is 1200 kΩ.

8. What is the typical output resistance (R2) of BCR192E6785HTSA1?
The typical output resistance (R2) of BCR192E6785HTSA1 is 200 Ω.

9. What is the maximum junction temperature (Tj) for BCR192E6785HTSA1?
The maximum junction temperature (Tj) for BCR192E6785HTSA1 is 150°C.

10. What is the typical transition frequency (ft) of BCR192E6785HTSA1?
The typical transition frequency (ft) of BCR192E6785HTSA1 is 250 MHz.
  

BCR192E6785HTSA1 Связанные ключевые слова

:
BCR192E6785HTSA1 Цена
BCR192E6785HTSA1 Техническая спецификация
BCR192E6785HTSA1 Картина
BCR192E6785HTSA1 PDF
BCR192E6785HTSA1 Технические характеристики
BCR192E6785HTSA1 Напряжение на выводе
BCR192E6785HTSA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：mlccchips@gmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BCR1" series products