+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: mlccchips@gmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  5. BCR169WH6327XTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
BCR169WH6327XTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
BCR169WH6327XTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

BCR169WH6327XTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

Дискретные полупроводниковые приборы     SC-70, SOT-323
Номер производителя:
BCR169WH6327XTSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
BCR169WH6327XTSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
120 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition :
200MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
SC-70, SOT-323
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Last Time Buy
Power - Max :
250mW
Resistor - Base (R1) :
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
-
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SOT323-3
Transistor Type :
PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
57,109
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BCR169WH6327XTSA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BCR169WH6327XTSA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BCR169WH6327XTSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BCR169WH6327XTSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BCR169WH6327XTSA1 Особенности

BCR169WH6327XTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, the size is SC-70, SOT-323, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT323-3.
  

BCR169WH6327XTSA1 Подробная информация о продукции

:
BCR169WH6327XTSA1 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BCR169WH6327XTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR169WH6327XTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR169WH6327XTSA1 (PDF), цена BCR169WH6327XTSA1, Распиновка BCR169WH6327XTSA1, руководство BCR169WH6327XTSA1 и решение на замену BCR169WH6327XTSA1.
  

BCR169WH6327XTSA1 FAQ

:
1. What is the maximum collector current (Ic) of the BCR169WH6327XTSA1?
The maximum collector current (Ic) of the BCR169WH6327XTSA1 is 100 mA.

2. What is the maximum collector-emitter voltage (Vce) of the BCR169WH6327XTSA1?
The maximum collector-emitter voltage (Vce) of the BCR169WH6327XTSA1 is 40 V.

3. What is the maximum power dissipation (Ptot) of the BCR169WH6327XTSA1?
The maximum power dissipation (Ptot) of the BCR169WH6327XTSA1 is 250 mW.

4. What is the DC current gain (hFE) of the BCR169WH6327XTSA1?
The DC current gain (hFE) of the BCR169WH6327XTSA1 is typically 100-600.

5. What is the storage temperature range for the BCR169WH6327XTSA1?
The storage temperature range for the BCR169WH6327XTSA1 is -65°C to +150°C.

6. What is the operating temperature range for the BCR169WH6327XTSA1?
The operating temperature range for the BCR169WH6327XTSA1 is -55°C to +150°C.

7. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for the BCR169WH6327XTSA1?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for the BCR169WH6327XTSA1 is 500 K/W.

8. What is the package type of the BCR169WH6327XTSA1?
The BCR169WH6327XTSA1 comes in a SOT-323 package.

9. What is the typical input voltage (VBE) of the BCR169WH6327XTSA1?
The typical input voltage (VBE) of the BCR169WH6327XTSA1 is 0.75 V.

10. What is the typical base-emitter saturation voltage (VBEsat) of the BCR169WH6327XTSA1?
The typical base-emitter saturation voltage (VBEsat) of the BCR169WH6327XTSA1 is 1 V.
  

BCR169WH6327XTSA1 Связанные ключевые слова

:
BCR169WH6327XTSA1 Цена
BCR169WH6327XTSA1 Техническая спецификация
BCR169WH6327XTSA1 Картина
BCR169WH6327XTSA1 PDF
BCR169WH6327XTSA1 Технические характеристики
BCR169WH6327XTSA1 Напряжение на выводе
BCR169WH6327XTSA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：mlccchips@gmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BCR1" series products