+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: mlccchips@gmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
  5. BCR10PNH6327XTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
BCR10PNH6327XTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
BCR10PNH6327XTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

BCR10PNH6327XTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

Дискретные полупроводниковые приборы     6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Номер производителя:
BCR10PNH6327XTSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
BCR10PNH6327XTSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition :
130MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Last Time Buy
Power - Max :
250mW
Resistor - Base (R1) :
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
10 kOhms
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SOT363-6
Transistor Type :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
15,210
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BCR10PNH6327XTSA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BCR10PNH6327XTSA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BCR10PNH6327XTSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BCR10PNH6327XTSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BCR10PNH6327XTSA1 Особенности

BCR10PNH6327XTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, the size is 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT363-6.
  

BCR10PNH6327XTSA1 Подробная информация о продукции

:
BCR10PNH6327XTSA1 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BCR10PNH6327XTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR10PNH6327XTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR10PNH6327XTSA1 (PDF), цена BCR10PNH6327XTSA1, Распиновка BCR10PNH6327XTSA1, руководство BCR10PNH6327XTSA1 и решение на замену BCR10PNH6327XTSA1.
  

BCR10PNH6327XTSA1 FAQ

:
1. What is the maximum collector current (Ic) rating for BCR10PNH6327XTSA1?
The maximum collector current (Ic) rating for BCR10PNH6327XTSA1 is 1 A.

2. What is the maximum collector-emitter voltage (Vce) for BCR10PNH6327XTSA1?
The maximum collector-emitter voltage (Vce) for BCR10PNH6327XTSA1 is 45 V.

3. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BCR10PNH6327XTSA1?
The maximum power dissipation (Ptot) for BCR10PNH6327XTSA1 is 625 mW.

4. What is the typical DC current gain (hFE) for BCR10PNH6327XTSA1?
The typical DC current gain (hFE) for BCR10PNH6327XTSA1 is 100-600.

5. What is the maximum junction temperature (Tj) for BCR10PNH6327XTSA1?
The maximum junction temperature (Tj) for BCR10PNH6327XTSA1 is 150°C.

6. What is the package type for BCR10PNH6327XTSA1?
BCR10PNH6327XTSA1 comes in a SOT23 package.

7. What is the storage temperature range for BCR10PNH6327XTSA1?
The storage temperature range for BCR10PNH6327XTSA1 is -55°C to 150°C.

8. What is the typical base-emitter saturation voltage (VBEsat) for BCR10PNH6327XTSA1?
The typical base-emitter saturation voltage (VBEsat) for BCR10PNH6327XTSA1 is 0.85 V.

9. What is the recommended operating temperature range for BCR10PNH6327XTSA1?
The recommended operating temperature range for BCR10PNH6327XTSA1 is -40°C to 125°C.

10. What is the lead-free status of BCR10PNH6327XTSA1?
BCR10PNH6327XTSA1 is lead-free and compliant with RoHS regulations.
  

BCR10PNH6327XTSA1 Связанные ключевые слова

:
BCR10PNH6327XTSA1 Цена
BCR10PNH6327XTSA1 Техническая спецификация
BCR10PNH6327XTSA1 Картина
BCR10PNH6327XTSA1 PDF
BCR10PNH6327XTSA1 Технические характеристики
BCR10PNH6327XTSA1 Напряжение на выводе
BCR10PNH6327XTSA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：mlccchips@gmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BCR1" series products