+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
  5. BCR10PNE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
BCR10PNE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
BCR10PNE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

BCR10PNE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

Дискретные полупроводниковые приборы     6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Номер производителя:
BCR10PNE6327BTSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
BCR10PNE6327BTSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition :
130MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
250mW
Resistor - Base (R1) :
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
10 kOhms
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SOT363-6
Transistor Type :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
14,541
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BCR10PNE6327BTSA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BCR10PNE6327BTSA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BCR10PNE6327BTSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BCR10PNE6327BTSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BCR10PNE6327BTSA1 Особенности

BCR10PNE6327BTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, the size is 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT363-6.
  

BCR10PNE6327BTSA1 Подробная информация о продукции

:
BCR10PNE6327BTSA1 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BCR10PNE6327BTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR10PNE6327BTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR10PNE6327BTSA1 (PDF), цена BCR10PNE6327BTSA1, Распиновка BCR10PNE6327BTSA1, руководство BCR10PNE6327BTSA1 и решение на замену BCR10PNE6327BTSA1.
  

BCR10PNE6327BTSA1 FAQ

:
1. What is the maximum collector current (IC) rating for BCR10PNE6327BTSA1?
The maximum collector current (IC) rating for BCR10PNE6327BTSA1 is 1 A.

2. What is the maximum collector-emitter voltage (VCE) for BCR10PNE6327BTSA1?
The maximum collector-emitter voltage (VCE) for BCR10PNE6327BTSA1 is 45 V.

3. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BCR10PNE6327BTSA1?
The maximum power dissipation (Ptot) for BCR10PNE6327BTSA1 is 625 mW.

4. What is the DC current gain (hFE) range for BCR10PNE6327BTSA1?
The DC current gain (hFE) range for BCR10PNE6327BTSA1 is 100 to 600.

5. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BCR10PNE6327BTSA1?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BCR10PNE6327BTSA1 is 250 K/W.

6. What is the storage temperature range for BCR10PNE6327BTSA1?
The storage temperature range for BCR10PNE6327BTSA1 is -55°C to +150°C.

7. What is the operating temperature range for BCR10PNE6327BTSA1?
The operating temperature range for BCR10PNE6327BTSA1 is -40°C to +125°C.

8. What is the input capacitance (Cib) for BCR10PNE6327BTSA1?
The input capacitance (Cib) for BCR10PNE6327BTSA1 is 20 pF.

9. What is the output capacitance (Cob) for BCR10PNE6327BTSA1?
The output capacitance (Cob) for BCR10PNE6327BTSA1 is 15 pF.

10. What is the transition frequency (ft) for BCR10PNE6327BTSA1?
The transition frequency (ft) for BCR10PNE6327BTSA1 is 250 MHz.
  

BCR10PNE6327BTSA1 Связанные ключевые слова

:
BCR10PNE6327BTSA1 Цена
BCR10PNE6327BTSA1 Техническая спецификация
BCR10PNE6327BTSA1 Картина
BCR10PNE6327BTSA1 PDF
BCR10PNE6327BTSA1 Технические характеристики
BCR10PNE6327BTSA1 Напряжение на выводе
BCR10PNE6327BTSA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BCR1" series products