+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: mlccchips@gmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
  5. BCR10PNB6327XT Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
BCR10PNB6327XT Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
BCR10PNB6327XT Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

BCR10PNB6327XT Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

Дискретные полупроводниковые приборы     6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Номер производителя:
BCR10PNB6327XT
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
BCR10PNB6327XT Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition :
130MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Discontinued at Digi-Key
Power - Max :
250mW
Resistor - Base (R1) :
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
10 kOhms
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SOT363-6
Transistor Type :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
52,845
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BCR10PNB6327XT Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BCR10PNB6327XT более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BCR10PNB6327XT. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BCR10PNB6327XT. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BCR10PNB6327XT Особенности

BCR10PNB6327XT is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, the size is 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT363-6.
  

BCR10PNB6327XT Подробная информация о продукции

:
BCR10PNB6327XT — это Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BCR10PNB6327XT производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR10PNB6327XT компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR10PNB6327XT (PDF), цена BCR10PNB6327XT, Распиновка BCR10PNB6327XT, руководство BCR10PNB6327XT и решение на замену BCR10PNB6327XT.
  

BCR10PNB6327XT FAQ

:
1. What is the maximum collector current (Ic) rating for BCR10PNB6327XT?
The maximum collector current (Ic) rating for BCR10PNB6327XT is 1 A.

2. What is the maximum collector-emitter voltage (Vce) for BCR10PNB6327XT?
The maximum collector-emitter voltage (Vce) for BCR10PNB6327XT is 45 V.

3. What is the typical DC current gain (hFE) for BCR10PNB6327XT?
The typical DC current gain (hFE) for BCR10PNB6327XT is 100-600.

4. What is the power dissipation (Ptot) for BCR10PNB6327XT?
The power dissipation (Ptot) for BCR10PNB6327XT is 625 mW.

5. What is the maximum junction temperature (Tj) for BCR10PNB6327XT?
The maximum junction temperature (Tj) for BCR10PNB6327XT is 150°C.

6. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BCR10PNB6327XT?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BCR10PNB6327XT is 250 K/W.

7. What is the storage temperature range for BCR10PNB6327XT?
The storage temperature range for BCR10PNB6327XT is -55°C to 150°C.

8. What is the recommended soldering temperature for BCR10PNB6327XT?
The recommended soldering temperature for BCR10PNB6327XT is 260°C for 10 seconds.

9. What is the package type for BCR10PNB6327XT?
The package type for BCR10PNB6327XT is SOT223.

10. What are the key applications for BCR10PNB6327XT?
BCR10PNB6327XT is commonly used in LED driver, linear regulator, and switching applications.
  

BCR10PNB6327XT Связанные ключевые слова

:
BCR10PNB6327XT Цена
BCR10PNB6327XT Техническая спецификация
BCR10PNB6327XT Картина
BCR10PNB6327XT PDF
BCR10PNB6327XT Технические характеристики
BCR10PNB6327XT Напряжение на выводе
BCR10PNB6327XT Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：mlccchips@gmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BCR1" series products