BCR108SH6433XTMA1 Infineon Technologies TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Дискретные полупроводниковые приборы 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Номер производителя:
BCR108SH6433XTMA1
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
BCR108SH6433XTMA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition :
170MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
250mW
Resistor - Base (R1) :
2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
47 kOhms
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SOT363-6
Transistor Type :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
27,087
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
BCR108SH6433XTMA1 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BCR108SH6433XTMA1 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc BCR108SH6433XTMA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на BCR108SH6433XTMA1. Нажмите, чтобы получить предложение
BCR108SH6433XTMA1 Особенности
BCR108SH6433XTMA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, the size is 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT363-6.
BCR108SH6433XTMA1 Подробная информация о продукции
:
BCR108SH6433XTMA1 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
BCR108SH6433XTMA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR108SH6433XTMA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR108SH6433XTMA1 (PDF), цена BCR108SH6433XTMA1, Распиновка BCR108SH6433XTMA1, руководство BCR108SH6433XTMA1 и решение на замену BCR108SH6433XTMA1.
BCR108SH6433XTMA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR108SH6433XTMA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR108SH6433XTMA1 (PDF), цена BCR108SH6433XTMA1, Распиновка BCR108SH6433XTMA1, руководство BCR108SH6433XTMA1 и решение на замену BCR108SH6433XTMA1.
BCR108SH6433XTMA1 FAQ
:
1. What is the maximum collector current (Ic) rating for BCR108SH6433XTMA1?
The maximum collector current (Ic) rating for BCR108SH6433XTMA1 is 100 mA.
2. What is the typical collector-emitter saturation voltage (Vce(sat)) for BCR108SH6433XTMA1 at a given current and temperature?
The typical collector-emitter saturation voltage (Vce(sat)) for BCR108SH6433XTMA1 is 300 mV at a collector current of 10 mA and a base current of 1 mA.
3. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BCR108SH6433XTMA1?
The maximum power dissipation (Ptot) for BCR108SH6433XTMA1 is 200 mW.
4. Can BCR108SH6433XTMA1 be used in high-speed switching applications?
Yes, BCR108SH6433XTMA1 can be used in high-speed switching applications due to its fast switching times.
5. What is the typical current gain (hFE) for BCR108SH6433XTMA1 at a specific operating point?
The typical current gain (hFE) for BCR108SH6433XTMA1 is 100 at a collector current of 2 mA.
6. Is BCR108SH6433XTMA1 suitable for low noise amplifier (LNA) applications?
Yes, BCR108SH6433XTMA1 is suitable for low noise amplifier (LNA) applications due to its low noise figure characteristics.
7. What is the maximum operating temperature range for BCR108SH6433XTMA1?
The maximum operating temperature range for BCR108SH6433XTMA1 is -55°C to 150°C.
8. Does BCR108SH6433XTMA1 require external biasing for operation?
No, BCR108SH6433XTMA1 does not require external biasing for operation as it is a self-biased transistor.
9. What is the typical input capacitance (Cib) for BCR108SH6433XTMA1 at a specified voltage and frequency?
The typical input capacitance (Cib) for BCR108SH6433XTMA1 is 4 pF at a collector-base voltage of 3 V and a frequency of 1 MHz.
10. Can BCR108SH6433XTMA1 be used in battery-powered applications?
Yes, BCR108SH6433XTMA1 can be used in battery-powered applications due to its low power consumption and efficient performance.
The maximum collector current (Ic) rating for BCR108SH6433XTMA1 is 100 mA.
2. What is the typical collector-emitter saturation voltage (Vce(sat)) for BCR108SH6433XTMA1 at a given current and temperature?
The typical collector-emitter saturation voltage (Vce(sat)) for BCR108SH6433XTMA1 is 300 mV at a collector current of 10 mA and a base current of 1 mA.
3. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BCR108SH6433XTMA1?
The maximum power dissipation (Ptot) for BCR108SH6433XTMA1 is 200 mW.
4. Can BCR108SH6433XTMA1 be used in high-speed switching applications?
Yes, BCR108SH6433XTMA1 can be used in high-speed switching applications due to its fast switching times.
5. What is the typical current gain (hFE) for BCR108SH6433XTMA1 at a specific operating point?
The typical current gain (hFE) for BCR108SH6433XTMA1 is 100 at a collector current of 2 mA.
6. Is BCR108SH6433XTMA1 suitable for low noise amplifier (LNA) applications?
Yes, BCR108SH6433XTMA1 is suitable for low noise amplifier (LNA) applications due to its low noise figure characteristics.
7. What is the maximum operating temperature range for BCR108SH6433XTMA1?
The maximum operating temperature range for BCR108SH6433XTMA1 is -55°C to 150°C.
8. Does BCR108SH6433XTMA1 require external biasing for operation?
No, BCR108SH6433XTMA1 does not require external biasing for operation as it is a self-biased transistor.
9. What is the typical input capacitance (Cib) for BCR108SH6433XTMA1 at a specified voltage and frequency?
The typical input capacitance (Cib) for BCR108SH6433XTMA1 is 4 pF at a collector-base voltage of 3 V and a frequency of 1 MHz.
10. Can BCR108SH6433XTMA1 be used in battery-powered applications?
Yes, BCR108SH6433XTMA1 can be used in battery-powered applications due to its low power consumption and efficient performance.
BCR108SH6433XTMA1 Связанные ключевые слова
:
BCR108SH6433XTMA1 Цена
BCR108SH6433XTMA1 Картина
BCR108SH6433XTMA1 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"BCR1"
series
products
