+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
  5. BCR108SH6327XTSA1 Infineon Technologies TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
BCR108SH6327XTSA1 Infineon Technologies TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
BCR108SH6327XTSA1 Infineon Technologies TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

BCR108SH6327XTSA1 Infineon Technologies TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Дискретные полупроводниковые приборы     6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Номер производителя:
BCR108SH6327XTSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
BCR108SH6327XTSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition :
170MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Last Time Buy
Power - Max :
250mW
Resistor - Base (R1) :
2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
47 kOhms
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SOT363-6
Transistor Type :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
12,923
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BCR108SH6327XTSA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BCR108SH6327XTSA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BCR108SH6327XTSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BCR108SH6327XTSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BCR108SH6327XTSA1 Особенности

BCR108SH6327XTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, the size is 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT363-6.
  

BCR108SH6327XTSA1 Подробная информация о продукции

:
BCR108SH6327XTSA1 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BCR108SH6327XTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR108SH6327XTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR108SH6327XTSA1 (PDF), цена BCR108SH6327XTSA1, Распиновка BCR108SH6327XTSA1, руководство BCR108SH6327XTSA1 и решение на замену BCR108SH6327XTSA1.
  

BCR108SH6327XTSA1 FAQ

:
1. What is the maximum collector current (Ic) rating for BCR108SH6327XTSA1?
The maximum collector current (Ic) rating for BCR108SH6327XTSA1 is 100 mA.

2. What is the typical collector-emitter saturation voltage (Vce(sat)) for BCR108SH6327XTSA1 at a specified current and temperature?
The typical collector-emitter saturation voltage (Vce(sat)) for BCR108SH6327XTSA1 is 300 mV at a collector current of 10 mA and a temperature of 25°C.

3. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BCR108SH6327XTSA1?
The maximum power dissipation (Ptot) for BCR108SH6327XTSA1 is 200 mW.

4. Can BCR108SH6327XTSA1 be used in high-speed switching applications?
Yes, BCR108SH6327XTSA1 can be used in high-speed switching applications due to its fast switching speed.

5. What is the typical input capacitance (Cib) for BCR108SH6327XTSA1?
The typical input capacitance (Cib) for BCR108SH6327XTSA1 is 2.5 pF.

6. Is BCR108SH6327XTSA1 suitable for use in low noise amplifier (LNA) circuits?
Yes, BCR108SH6327XTSA1 is suitable for use in low noise amplifier (LNA) circuits due to its low noise characteristics.

7. What is the maximum operating temperature (Tj) for BCR108SH6327XTSA1?
The maximum operating temperature (Tj) for BCR108SH6327XTSA1 is 150°C.

8. Does BCR108SH6327XTSA1 have built-in ESD protection?
Yes, BCR108SH6327XTSA1 has built-in ESD protection, making it robust against electrostatic discharge events.

9. What is the typical transition frequency (ft) for BCR108SH6327XTSA1?
The typical transition frequency (ft) for BCR108SH6327XTSA1 is 250 MHz.

10. Can BCR108SH6327XTSA1 be used in battery-powered applications?
Yes, BCR108SH6327XTSA1 can be used in battery-powered applications due to its low power consumption and efficient performance.
  

BCR108SH6327XTSA1 Связанные ключевые слова

:
BCR108SH6327XTSA1 Цена
BCR108SH6327XTSA1 Техническая спецификация
BCR108SH6327XTSA1 Картина
BCR108SH6327XTSA1 PDF
BCR108SH6327XTSA1 Технические характеристики
BCR108SH6327XTSA1 Напряжение на выводе
BCR108SH6327XTSA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BCR1" series products