+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
  5. BCR08PNE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
BCR08PNE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
BCR08PNE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

BCR08PNE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

Дискретные полупроводниковые приборы     6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Номер производителя:
BCR08PNE6327BTSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
BCR08PNE6327BTSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition :
170MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
250mW
Resistor - Base (R1) :
2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
47 kOhms
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SOT363-6
Transistor Type :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
48,089
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BCR08PNE6327BTSA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BCR08PNE6327BTSA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BCR08PNE6327BTSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BCR08PNE6327BTSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BCR08PNE6327BTSA1 Особенности

BCR08PNE6327BTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, the size is 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT363-6.
  

BCR08PNE6327BTSA1 Подробная информация о продукции

:
BCR08PNE6327BTSA1 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BCR08PNE6327BTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR08PNE6327BTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR08PNE6327BTSA1 (PDF), цена BCR08PNE6327BTSA1, Распиновка BCR08PNE6327BTSA1, руководство BCR08PNE6327BTSA1 и решение на замену BCR08PNE6327BTSA1.
  

BCR08PNE6327BTSA1 FAQ

:
1. What is the maximum collector current (IC) of the BCR08PNE6327BTSA1?

The maximum collector current (IC) of the BCR08PNE6327BTSA1 is 8A.

2. What is the maximum collector-emitter voltage (VCE) of the BCR08PNE6327BTSA1?

The maximum collector-emitter voltage (VCE) of the BCR08PNE6327BTSA1 is 700V.

3. What is the maximum power dissipation (Ptot) of the BCR08PNE6327BTSA1?

The maximum power dissipation (Ptot) of the BCR08PNE6327BTSA1 is 40W.

4. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) of the BCR08PNE6327BTSA1?

The thermal resistance junction to ambient (RthJA) of the BCR08PNE6327BTSA1 is 62 K/W.

5. What is the gate trigger voltage (VGT) of the BCR08PNE6327BTSA1?

The gate trigger voltage (VGT) of the BCR08PNE6327BTSA1 is 1.3V.

6. What is the gate trigger current (IGT) of the BCR08PNE6327BTSA1?

The gate trigger current (IGT) of the BCR08PNE6327BTSA1 is 5mA.

7. What is the holding current (IH) of the BCR08PNE6327BTSA1?

The holding current (IH) of the BCR08PNE6327BTSA1 is 10mA.

8. What is the on-state voltage (VTM) of the BCR08PNE6327BTSA1?

The on-state voltage (VTM) of the BCR08PNE6327BTSA1 is 1.55V.

9. What is the critical rate of rise of off-state voltage (dv/dt) of the BCR08PNE6327BTSA1?

The critical rate of rise of off-state voltage (dv/dt) of the BCR08PNE6327BTSA1 is 50V/µs.

10. What is the maximum junction temperature (Tj) of the BCR08PNE6327BTSA1?

The maximum junction temperature (Tj) of the BCR08PNE6327BTSA1 is 150°C.
  

BCR08PNE6327BTSA1 Связанные ключевые слова

:
BCR08PNE6327BTSA1 Цена
BCR08PNE6327BTSA1 Техническая спецификация
BCR08PNE6327BTSA1 Картина
BCR08PNE6327BTSA1 PDF
BCR08PNE6327BTSA1 Технические характеристики
BCR08PNE6327BTSA1 Напряжение на выводе
BCR08PNE6327BTSA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BCR0" series products