+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
  5. BCR08PNB6327XT Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
BCR08PNB6327XT Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
BCR08PNB6327XT Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

BCR08PNB6327XT Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

Дискретные полупроводниковые приборы     6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Номер производителя:
BCR08PNB6327XT
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
BCR08PNB6327XT Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition :
170MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Discontinued at Digi-Key
Power - Max :
250mW
Resistor - Base (R1) :
2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
47 kOhms
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SOT363-6
Transistor Type :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
35,629
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BCR08PNB6327XT Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BCR08PNB6327XT более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BCR08PNB6327XT. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BCR08PNB6327XT. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BCR08PNB6327XT Особенности

BCR08PNB6327XT is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, the size is 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT363-6.
  

BCR08PNB6327XT Подробная информация о продукции

:
BCR08PNB6327XT — это Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BCR08PNB6327XT производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR08PNB6327XT компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR08PNB6327XT (PDF), цена BCR08PNB6327XT, Распиновка BCR08PNB6327XT, руководство BCR08PNB6327XT и решение на замену BCR08PNB6327XT.
  

BCR08PNB6327XT FAQ

:
1. What is the maximum collector current (Ic) of the BCR08PNB6327XT?

The maximum collector current (Ic) of the BCR08PNB6327XT is 8A.

2. What is the maximum collector-emitter voltage (Vce) of the BCR08PNB6327XT?

The maximum collector-emitter voltage (Vce) of the BCR08PNB6327XT is 700V.

3. What is the maximum base current (Ib) of the BCR08PNB6327XT?

The maximum base current (Ib) of the BCR08PNB6327XT is 120mA.

4. What is the power dissipation (Pd) of the BCR08PNB6327XT?

The power dissipation (Pd) of the BCR08PNB6327XT is 65W.

5. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) of the BCR08PNB6327XT?

The thermal resistance junction to ambient (RthJA) of the BCR08PNB6327XT is 62°C/W.

6. What is the storage temperature range for the BCR08PNB6327XT?

The storage temperature range for the BCR08PNB6327XT is -55°C to 150°C.

7. What is the operating temperature range for the BCR08PNB6327XT?

The operating temperature range for the BCR08PNB6327XT is -40°C to 150°C.

8. What is the input voltage (VCEsat) of the BCR08PNB6327XT?

The input voltage (VCEsat) of the BCR08PNB6327XT is 1.15V.

9. What is the DC current gain (hFE) of the BCR08PNB6327XT?

The DC current gain (hFE) of the BCR08PNB6327XT is 40 to 160.

10. What is the package type of the BCR08PNB6327XT?

The package type of the BCR08PNB6327XT is SOT223.
  

BCR08PNB6327XT Связанные ключевые слова

:
BCR08PNB6327XT Цена
BCR08PNB6327XT Техническая спецификация
BCR08PNB6327XT Картина
BCR08PNB6327XT PDF
BCR08PNB6327XT Технические характеристики
BCR08PNB6327XT Напряжение на выводе
BCR08PNB6327XT Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BCR0" series products