MMDT4126-7 Diodes Incorporated TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363

Дискретные полупроводниковые приборы     
Номер производителя:
MMDT4126-7
Производитель:
Описание:
TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363
Состояние RoHs:
Current - Collector (Ic) (Max) :
Current - Collector Cutoff (Max) :
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
Frequency - Transition :
Mounting Type :
Operating Temperature :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Max :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
в наличии
30,689
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

MMDT4126-7 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MMDT4126-7 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc MMDT4126-7. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MMDT4126-7. Нажмите, чтобы получить предложение
 

MMDT4126-7 Особенности

MMDT4126-7 is produced by Diodes Incorporated, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы.
  

MMDT4126-7 Подробная информация о продукции

:
MMDT4126-7 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Diodes Incorporated.
MMDT4126-7 производства Diodes Incorporated можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MMDT4126-7 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MMDT4126-7 (PDF), цена MMDT4126-7, Распиновка MMDT4126-7, руководство MMDT4126-7 и решение на замену MMDT4126-7.
  

MMDT4126-7 FAQ

:
1. What is the maximum continuous collector current (IC) for MMDT4126-7?
The maximum continuous collector current (IC) for MMDT4126-7 is 500mA.

2. What is the maximum power dissipation (PD) for MMDT4126-7?
The maximum power dissipation (PD) for MMDT4126-7 is 350mW.

3. What is the maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MMDT4126-7?
The maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MMDT4126-7 is 40V.

4. What is the maximum emitter-base voltage (VEBO) for MMDT4126-7?
The maximum emitter-base voltage (VEBO) for MMDT4126-7 is 5V.

5. What is the DC current gain (hFE) range for MMDT4126-7?
The DC current gain (hFE) range for MMDT4126-7 is 100 to 600.

6. What is the total power dissipation (PTOT) for MMDT4126-7?
The total power dissipation (PTOT) for MMDT4126-7 is 625mW.

7. What is the thermal resistance junction to ambient (RθJA) for MMDT4126-7?
The thermal resistance junction to ambient (RθJA) for MMDT4126-7 is 357°C/W.

8. What is the storage temperature range for MMDT4126-7?
The storage temperature range for MMDT4126-7 is -55°C to +150°C.

9. What is the operating temperature range for MMDT4126-7?
The operating temperature range for MMDT4126-7 is -55°C to +150°C.

10. What is the package type for MMDT4126-7?
The package type for MMDT4126-7 is SOT-363.
  

MMDT4126-7 Связанные ключевые слова

:

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "MMDT" series products