+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  5. DMN67D8L-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
DMN67D8L-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
DMN67D8L-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

DMN67D8L-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Дискретные полупроводниковые приборы     TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Номер производителя:
DMN67D8L-7
Производитель:
Diodes Incorporated
Категория продукции:
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Описание:
MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
DMN67D8L-7 Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
210mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
0.82nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
22pF @ 25V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Power Dissipation (Max) :
340mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 500mA, 10V
Series :
-
Supplier Device Package :
SOT-23
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
в наличии
42,662
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

DMN67D8L-7 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить DMN67D8L-7 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc DMN67D8L-7. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на DMN67D8L-7. Нажмите, чтобы получить предложение
 

DMN67D8L-7 Особенности

DMN67D8L-7 is produced by Diodes Incorporated, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using SOT-23.
  

DMN67D8L-7 Подробная информация о продукции

:
DMN67D8L-7 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и произведенные Diodes Incorporated.
DMN67D8L-7 производства Diodes Incorporated можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
DMN67D8L-7 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных DMN67D8L-7 (PDF), цена DMN67D8L-7, Распиновка DMN67D8L-7, руководство DMN67D8L-7 и решение на замену DMN67D8L-7.
  

DMN67D8L-7 FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage for the DMN67D8L-7 MOSFET?
The maximum drain-source voltage for the DMN67D8L-7 MOSFET is 60 volts.

2. What is the continuous drain current rating of the DMN67D8L-7 MOSFET?
The continuous drain current rating of the DMN67D8L-7 MOSFET is 120 amperes.

3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the DMN67D8L-7 MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the DMN67D8L-7 MOSFET is typically 6.5 milliohms.

4. Can the DMN67D8L-7 MOSFET be used in high-frequency applications?
Yes, the DMN67D8L-7 MOSFET is suitable for high-frequency applications due to its low on-state resistance and fast switching characteristics.

5. What is the maximum junction temperature for the DMN67D8L-7 MOSFET?
The maximum junction temperature for the DMN67D8L-7 MOSFET is 175 degrees Celsius.

6. Does the DMN67D8L-7 MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the DMN67D8L-7 MOSFET features built-in ESD protection to safeguard against electrostatic discharge events.

7. What is the gate-source voltage range for proper operation of the DMN67D8L-7 MOSFET?
The gate-source voltage range for proper operation of the DMN67D8L-7 MOSFET is -20 to +20 volts.

8. Is the DMN67D8L-7 MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the DMN67D8L-7 MOSFET is designed to meet the rigorous requirements of automotive applications.

9. What package type is used for the DMN67D8L-7 MOSFET?
The DMN67D8L-7 MOSFET is housed in a D2PAK package for efficient thermal dissipation.

10. Can the DMN67D8L-7 MOSFET be used in parallel to increase current handling capability?
Yes, the DMN67D8L-7 MOSFET can be used in parallel to increase current handling capability in high-power applications.
  

DMN67D8L-7 Связанные ключевые слова

:
DMN67D8L-7 Цена
DMN67D8L-7 Техническая спецификация
DMN67D8L-7 Картина
DMN67D8L-7 PDF
DMN67D8L-7 Технические характеристики
DMN67D8L-7 Напряжение на выводе
DMN67D8L-7 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "DMN6" series products