DMN2300UFB4-7B Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Дискретные полупроводниковые приборы 3-XFDFN
Номер производителя:
DMN2300UFB4-7B
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
DMN2300UFB4-7B Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
1.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
1.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
64.3pF @ 25V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
3-XFDFN
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Power Dissipation (Max) :
500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
175 mOhm @ 300mA, 4.5V
Series :
-
Supplier Device Package :
X2-DFN1006-3
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
в наличии
61,196
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
DMN2300UFB4-7B Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить DMN2300UFB4-7B более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc DMN2300UFB4-7B. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на DMN2300UFB4-7B. Нажмите, чтобы получить предложение
DMN2300UFB4-7B Особенности
DMN2300UFB4-7B is produced by Diodes Incorporated, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 3-XFDFN, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using X2-DFN1006-3.
DMN2300UFB4-7B Подробная информация о продукции
:
DMN2300UFB4-7B — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Diodes Incorporated.
DMN2300UFB4-7B производства Diodes Incorporated можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
DMN2300UFB4-7B компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных DMN2300UFB4-7B (PDF), цена DMN2300UFB4-7B, Распиновка DMN2300UFB4-7B, руководство DMN2300UFB4-7B и решение на замену DMN2300UFB4-7B.
DMN2300UFB4-7B производства Diodes Incorporated можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
DMN2300UFB4-7B компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных DMN2300UFB4-7B (PDF), цена DMN2300UFB4-7B, Распиновка DMN2300UFB4-7B, руководство DMN2300UFB4-7B и решение на замену DMN2300UFB4-7B.
DMN2300UFB4-7B FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for the DMN2300UFB4-7B MOSFET?
The maximum drain-source voltage for the DMN2300UFB4-7B MOSFET is 30 volts.
2. What is the continuous drain current rating of the DMN2300UFB4-7B MOSFET?
The continuous drain current rating of the DMN2300UFB4-7B MOSFET is 3.7 amperes.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the DMN2300UFB4-7B MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the DMN2300UFB4-7B MOSFET is typically 60 milliohms.
4. Can the DMN2300UFB4-7B MOSFET be used for high-frequency applications?
Yes, the DMN2300UFB4-7B MOSFET is suitable for high-frequency applications due to its low on-state resistance and fast switching characteristics.
5. What is the maximum junction temperature for the DMN2300UFB4-7B MOSFET?
The maximum junction temperature for the DMN2300UFB4-7B MOSFET is 150 degrees Celsius.
6. Does the DMN2300UFB4-7B MOSFET require a heat sink for operation?
The need for a heat sink depends on the specific application and the power dissipation requirements. It is recommended to consult the datasheet and perform thermal calculations for each application.
7. Is the DMN2300UFB4-7B MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the DMN2300UFB4-7B MOSFET is designed for automotive applications and complies with relevant industry standards.
8. What is the gate-source voltage (VGS) range for turning on the DMN2300UFB4-7B MOSFET?
The gate-source voltage (VGS) range for turning on the DMN2300UFB4-7B MOSFET is typically 2 to 4 volts.
9. Can the DMN2300UFB4-7B MOSFET be used in a logic-level drive circuit?
Yes, the DMN2300UFB4-7B MOSFET can be driven by logic-level signals due to its low threshold voltage.
10. What package type is the DMN2300UFB4-7B MOSFET available in?
The DMN2300UFB4-7B MOSFET is available in a DFN2020-3 (SOT1118) package.
The maximum drain-source voltage for the DMN2300UFB4-7B MOSFET is 30 volts.
2. What is the continuous drain current rating of the DMN2300UFB4-7B MOSFET?
The continuous drain current rating of the DMN2300UFB4-7B MOSFET is 3.7 amperes.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the DMN2300UFB4-7B MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the DMN2300UFB4-7B MOSFET is typically 60 milliohms.
4. Can the DMN2300UFB4-7B MOSFET be used for high-frequency applications?
Yes, the DMN2300UFB4-7B MOSFET is suitable for high-frequency applications due to its low on-state resistance and fast switching characteristics.
5. What is the maximum junction temperature for the DMN2300UFB4-7B MOSFET?
The maximum junction temperature for the DMN2300UFB4-7B MOSFET is 150 degrees Celsius.
6. Does the DMN2300UFB4-7B MOSFET require a heat sink for operation?
The need for a heat sink depends on the specific application and the power dissipation requirements. It is recommended to consult the datasheet and perform thermal calculations for each application.
7. Is the DMN2300UFB4-7B MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the DMN2300UFB4-7B MOSFET is designed for automotive applications and complies with relevant industry standards.
8. What is the gate-source voltage (VGS) range for turning on the DMN2300UFB4-7B MOSFET?
The gate-source voltage (VGS) range for turning on the DMN2300UFB4-7B MOSFET is typically 2 to 4 volts.
9. Can the DMN2300UFB4-7B MOSFET be used in a logic-level drive circuit?
Yes, the DMN2300UFB4-7B MOSFET can be driven by logic-level signals due to its low threshold voltage.
10. What package type is the DMN2300UFB4-7B MOSFET available in?
The DMN2300UFB4-7B MOSFET is available in a DFN2020-3 (SOT1118) package.
DMN2300UFB4-7B Связанные ключевые слова
:
DMN2300UFB4-7B Цена
DMN2300UFB4-7B Картина
DMN2300UFB4-7B Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"DMN2"
series
products
