DMN10H120SFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Дискретные полупроводниковые приборы 8-PowerVDFN

Номер производителя:

DMN10H120SFG-7

Производитель:

Diodes Incorporated

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

Описание:

MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

DMN10H120SFG-7 Таблицы данных(PDF)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

3.8A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss) :

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :

6V, 10V

FET Feature :

FET Type :

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

10.6nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

549pF @ 50V

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :

8-PowerVDFN

Packaging :

Cut Tape (CT)

Part Status :

Active

Power Dissipation (Max) :

1W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

110 mOhm @ 3.3A, 10V

Series :

Supplier Device Package :

PowerDI3333-8

Technology :

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max) :

±20V

Vgs(th) (Max) @ Id :

3V @ 250µA

в наличии

44,961

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

DMN10H120SFG-7 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить DMN10H120SFG-7 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc DMN10H120SFG-7. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на DMN10H120SFG-7. Нажмите, чтобы получить предложение

DMN10H120SFG-7 Особенности

DMN10H120SFG-7 is produced by Diodes Incorporated, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-PowerVDFN, and Cut Tape (CT) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PowerDI3333-8.

DMN10H120SFG-7 Подробная информация о продукции

DMN10H120SFG-7 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и произведенные Diodes Incorporated.
DMN10H120SFG-7 производства Diodes Incorporated можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
DMN10H120SFG-7 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных DMN10H120SFG-7 (PDF), цена DMN10H120SFG-7, Распиновка DMN10H120SFG-7, руководство DMN10H120SFG-7 и решение на замену DMN10H120SFG-7.

DMN10H120SFG-7 FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage (VDS) of the DMN10H120SFG-7 MOSFET?
The maximum drain-source voltage (VDS) of the DMN10H120SFG-7 MOSFET is 120 volts.

2. What is the continuous drain current (ID) rating of the DMN10H120SFG-7 MOSFET?
The continuous drain current (ID) rating of the DMN10H120SFG-7 MOSFET is 10 amperes.

3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the DMN10H120SFG-7 MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the DMN10H120SFG-7 MOSFET is typically 0.19 ohms.

4. What is the gate threshold voltage (VGS(th)) of the DMN10H120SFG-7 MOSFET?
The gate threshold voltage (VGS(th)) of the DMN10H120SFG-7 MOSFET is typically 2.5 volts.

5. What is the total gate charge (Qg) of the DMN10H120SFG-7 MOSFET?
The total gate charge (Qg) of the DMN10H120SFG-7 MOSFET is typically 15 nC.

6. What is the input capacitance (Ciss) of the DMN10H120SFG-7 MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the DMN10H120SFG-7 MOSFET is typically 1100 pF.

7. What is the output capacitance (Coss) of the DMN10H120SFG-7 MOSFET?
The output capacitance (Coss) of the DMN10H120SFG-7 MOSFET is typically 160 pF.

8. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of the DMN10H120SFG-7 MOSFET?
The reverse transfer capacitance (Crss) of the DMN10H120SFG-7 MOSFET is typically 90 pF.

9. What is the junction temperature (Tj) range for the DMN10H120SFG-7 MOSFET?
The junction temperature (Tj) range for the DMN10H120SFG-7 MOSFET is -55°C to 150°C.

10. What is the package type of the DMN10H120SFG-7 MOSFET?
The DMN10H120SFG-7 MOSFET is available in a DPAK (TO-252) package.

DMN10H120SFG-7 Связанные ключевые слова

DMN10H120SFG-7 Цена

DMN10H120SFG-7 Техническая спецификация

DMN10H120SFG-7 Картина

DMN10H120SFG-7 PDF

DMN10H120SFG-7 Технические характеристики

DMN10H120SFG-7 Напряжение на выводе

DMN10H120SFG-7 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：mlccchips@gmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

Contains "DMN1" series products

DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
DMN1002UCA6-7

MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6
DMN1002UCA6-7

MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6
DMN1002UCA6-7

MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6
DMN1002UCA6-7

MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6
DMN1002UCA6-7

MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6