+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  5. DDTC113TE-7 Diodes Incorporated TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
DDTC113TE-7 Diodes Incorporated TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
DDTC113TE-7 Diodes Incorporated TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

DDTC113TE-7 Diodes Incorporated TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

Дискретные полупроводниковые приборы     SOT-523
Номер производителя:
DDTC113TE-7
Производитель:
Diodes Incorporated
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
DDTC113TE-7 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition :
250MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
SOT-523
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Discontinued at Digi-Key
Power - Max :
150mW
Resistor - Base (R1) :
1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
-
Series :
-
Supplier Device Package :
SOT-523
Transistor Type :
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
49,706
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

DDTC113TE-7 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить DDTC113TE-7 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc DDTC113TE-7. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на DDTC113TE-7. Нажмите, чтобы получить предложение
 

DDTC113TE-7 Особенности

DDTC113TE-7 is produced by Diodes Incorporated, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, the size is SOT-523, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using SOT-523.
  

DDTC113TE-7 Подробная информация о продукции

:
DDTC113TE-7 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Diodes Incorporated.
DDTC113TE-7 производства Diodes Incorporated можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
DDTC113TE-7 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных DDTC113TE-7 (PDF), цена DDTC113TE-7, Распиновка DDTC113TE-7, руководство DDTC113TE-7 и решение на замену DDTC113TE-7.
  

DDTC113TE-7 FAQ

:
1. What is the maximum collector current for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor?
The maximum collector current for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor is 100mA.

2. What is the typical collector-emitter saturation voltage of the DDTC113TE-7?
The typical collector-emitter saturation voltage of the DDTC113TE-7 is 0.3V.

3. What is the maximum power dissipation for the DDTC113TE-7 in a package with a size of 2.9mm x 1.3mm?
The maximum power dissipation for the DDTC113TE-7 in a package with a size of 2.9mm x 1.3mm is 200mW.

4. What is the storage temperature range for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor?
The storage temperature range for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor is -55°C to +150°C.

5. What is the typical DC current gain (hFE) of the DDTC113TE-7 at a collector current of 10mA?
The typical DC current gain (hFE) of the DDTC113TE-7 at a collector current of 10mA is 250.

6. What is the maximum emitter-base voltage for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor?
The maximum emitter-base voltage for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor is 5V.

7. What is the recommended soldering temperature and duration for the DDTC113TE-7?
The recommended soldering temperature for the DDTC113TE-7 is 260°C for 10 seconds.

8. What is the thermal resistance from junction to ambient for the DDTC113TE-7 in a SOT416 package?
The thermal resistance from junction to ambient for the DDTC113TE-7 in a SOT416 package is 625°C/W.

9. What is the maximum reverse voltage for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor?
The maximum reverse voltage for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor is 50V.

10. What is the operating temperature range for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor?
The operating temperature range for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor is -55°C to +150°C.
  

DDTC113TE-7 Связанные ключевые слова

:
DDTC113TE-7 Цена
DDTC113TE-7 Техническая спецификация
DDTC113TE-7 Картина
DDTC113TE-7 PDF
DDTC113TE-7 Технические характеристики
DDTC113TE-7 Напряжение на выводе
DDTC113TE-7 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "DDTC" series products