+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
  5. DDA114EU-7-F Diodes Incorporated TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
DDA114EU-7-F Diodes Incorporated TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
DDA114EU-7-F Diodes Incorporated TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363

DDA114EU-7-F Diodes Incorporated TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363

Дискретные полупроводниковые приборы     6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Номер производителя:
DDA114EU-7-F
Производитель:
Diodes Incorporated
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
DDA114EU-7-F Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition :
250MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Power - Max :
200mW
Resistor - Base (R1) :
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
10 kOhms
Series :
-
Supplier Device Package :
SOT-363
Transistor Type :
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
52,063
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

DDA114EU-7-F Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить DDA114EU-7-F более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc DDA114EU-7-F. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на DDA114EU-7-F. Нажмите, чтобы получить предложение
 

DDA114EU-7-F Особенности

DDA114EU-7-F is produced by Diodes Incorporated, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, the size is 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using SOT-363.
  

DDA114EU-7-F Подробная информация о продукции

:
DDA114EU-7-F — это Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Diodes Incorporated.
DDA114EU-7-F производства Diodes Incorporated можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
DDA114EU-7-F компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных DDA114EU-7-F (PDF), цена DDA114EU-7-F, Распиновка DDA114EU-7-F, руководство DDA114EU-7-F и решение на замену DDA114EU-7-F.
  

DDA114EU-7-F FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage for DDA114EU-7-F?
The maximum drain-source voltage for DDA114EU-7-F is 60V.

2. What is the continuous drain current rating of DDA114EU-7-F?
The continuous drain current rating of DDA114EU-7-F is 3.5A.

3. What is the on-resistance of DDA114EU-7-F at VGS = 10V?
The on-resistance of DDA114EU-7-F at VGS = 10V is typically 50mΩ.

4. What is the threshold voltage of DDA114EU-7-F?
The threshold voltage of DDA114EU-7-F is typically 1.5V.

5. What is the maximum junction temperature for DDA114EU-7-F?
The maximum junction temperature for DDA114EU-7-F is 150°C.

6. What is the input capacitance of DDA114EU-7-F at VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz?
The input capacitance of DDA114EU-7-F at VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz is typically 1100pF.

7. What is the output capacitance of DDA114EU-7-F at VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz?
The output capacitance of DDA114EU-7-F at VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz is typically 300pF.

8. What is the reverse transfer capacitance of DDA114EU-7-F at VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz?
The reverse transfer capacitance of DDA114EU-7-F at VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz is typically 200pF.

9. What is the total gate charge of DDA114EU-7-F at VDD = 30V, ID = 3.5A, VGS = 10V?
The total gate charge of DDA114EU-7-F at VDD = 30V, ID = 3.5A, VGS = 10V is typically 15nC.

10. What is the typical turn-on delay time of DDA114EU-7-F at VDD = 30V, ID = 3.5A, VGS = 10V?
The typical turn-on delay time of DDA114EU-7-F at VDD = 30V, ID = 3.5A, VGS = 10V is 12ns.
  

DDA114EU-7-F Связанные ключевые слова

:
DDA114EU-7-F Цена
DDA114EU-7-F Техническая спецификация
DDA114EU-7-F Картина
DDA114EU-7-F PDF
DDA114EU-7-F Технические характеристики
DDA114EU-7-F Напряжение на выводе
DDA114EU-7-F Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "DDA1" series products