S30MS512R25TFW100 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH MEMORY 48TSOP
Интегральные схемы (ИС)
Номер производителя:
S30MS512R25TFW100
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH MEMORY 48TSOP
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
Access Time :
Clock Frequency :
Memory Format :
Memory Interface :
Memory Size :
Memory Type :
Mounting Type :
Operating Temperature :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Series :
Supplier Device Package :
Technology :
Voltage - Supply :
Write Cycle Time - Word, Page :
в наличии
58,539
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
S30MS512R25TFW100 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить S30MS512R25TFW100 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc S30MS512R25TFW100. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на S30MS512R25TFW100. Нажмите, чтобы получить предложение
S30MS512R25TFW100 Особенности
S30MS512R25TFW100 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to объем памяти.
S30MS512R25TFW100 Подробная информация о продукции
:
S30MS512R25TFW100 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Cypress Semiconductor Corp.
S30MS512R25TFW100 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S30MS512R25TFW100 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S30MS512R25TFW100 (PDF), цена S30MS512R25TFW100, Распиновка S30MS512R25TFW100, руководство S30MS512R25TFW100 и решение на замену S30MS512R25TFW100.
S30MS512R25TFW100 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S30MS512R25TFW100 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S30MS512R25TFW100 (PDF), цена S30MS512R25TFW100, Распиновка S30MS512R25TFW100, руководство S30MS512R25TFW100 и решение на замену S30MS512R25TFW100.
S30MS512R25TFW100 FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory?
The maximum operating frequency of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is 50MHz.
2. What is the typical power consumption of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory during read operations?
The typical power consumption of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory during read operations is 25mA.
3. Can the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory withstand high temperatures?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is designed to withstand high temperatures, with a maximum operating temperature of 85°C.
4. What are the available package options for the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory?
The S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is available in a 48-ball BGA package.
5. Does the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory support hardware data protection features?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory supports hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) protection.
6. What is the maximum data transfer rate of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory?
The maximum data transfer rate of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is 200MB/s.
7. Can the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory operate at different supply voltages?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory can operate at both 3.3V and 1.8V supply voltages.
8. What is the typical program/erase cycle endurance of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is 100,000 cycles.
9. Is the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory compatible with industrial-grade applications?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is designed for use in industrial-grade applications, with robust performance and reliability.
10. Does the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory support advanced error correction mechanisms?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory supports advanced error correction mechanisms such as BCH (Bose-Chaudhuri-Hocquenghem) algorithm for data integrity.
The maximum operating frequency of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is 50MHz.
2. What is the typical power consumption of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory during read operations?
The typical power consumption of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory during read operations is 25mA.
3. Can the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory withstand high temperatures?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is designed to withstand high temperatures, with a maximum operating temperature of 85°C.
4. What are the available package options for the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory?
The S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is available in a 48-ball BGA package.
5. Does the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory support hardware data protection features?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory supports hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) protection.
6. What is the maximum data transfer rate of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory?
The maximum data transfer rate of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is 200MB/s.
7. Can the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory operate at different supply voltages?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory can operate at both 3.3V and 1.8V supply voltages.
8. What is the typical program/erase cycle endurance of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is 100,000 cycles.
9. Is the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory compatible with industrial-grade applications?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is designed for use in industrial-grade applications, with robust performance and reliability.
10. Does the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory support advanced error correction mechanisms?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory supports advanced error correction mechanisms such as BCH (Bose-Chaudhuri-Hocquenghem) algorithm for data integrity.
S30MS512R25TFW100 Связанные ключевые слова
:
S30MS512R25TFW100 Цена
S30MS512R25TFW100 Картина
S30MS512R25TFW100 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"S30M"
series
products