CGHV1F006S Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
Дискретные полупроводниковые приборы
Номер производителя:
CGHV1F006S
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
CGHV1F006S Таблицы данных(PDF)
Current - Test :
Current Rating :
Frequency :
Gain :
Noise Figure :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Output :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Voltage - Rated :
Voltage - Test :
в наличии
57,768
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
CGHV1F006S Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить CGHV1F006S более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc CGHV1F006S. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на CGHV1F006S. Нажмите, чтобы получить предложение
CGHV1F006S Особенности
CGHV1F006S is produced by Cree/Wolfspeed, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ.
CGHV1F006S Подробная информация о продукции
:
CGHV1F006S — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Cree/Wolfspeed.
CGHV1F006S производства Cree/Wolfspeed можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
CGHV1F006S компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных CGHV1F006S (PDF), цена CGHV1F006S, Распиновка CGHV1F006S, руководство CGHV1F006S и решение на замену CGHV1F006S.
CGHV1F006S производства Cree/Wolfspeed можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
CGHV1F006S компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных CGHV1F006S (PDF), цена CGHV1F006S, Распиновка CGHV1F006S, руководство CGHV1F006S и решение на замену CGHV1F006S.
CGHV1F006S FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for the CGHV1F006S?
The maximum drain-source voltage rating for the CGHV1F006S is 650 volts.
2. What is the typical input capacitance of the CGHV1F006S at a specified voltage and frequency?
The typical input capacitance of the CGHV1F006S is 440 pF at a voltage of 25 V and a frequency of 1 MHz.
3. Can the CGHV1F006S be used in high-frequency applications?
Yes, the CGHV1F006S is suitable for high-frequency applications due to its low input and output capacitance.
4. What is the maximum continuous drain current for the CGHV1F006S?
The maximum continuous drain current for the CGHV1F006S is 6 A.
5. Does the CGHV1F006S require an external matching network for optimal performance?
Yes, the CGHV1F006S requires an external matching network for optimal performance in RF applications.
6. What is the typical on-state resistance of the CGHV1F006S?
The typical on-state resistance of the CGHV1F006S is 0.35 ohms.
7. Is the CGHV1F006S suitable for use in Class AB amplifier designs?
Yes, the CGHV1F006S is suitable for use in Class AB amplifier designs due to its high power handling capability.
8. What is the recommended operating temperature range for the CGHV1F006S?
The recommended operating temperature range for the CGHV1F006S is -55°C to 150°C.
9. Can the CGHV1F006S be used in linear amplifier applications?
Yes, the CGHV1F006S can be used in linear amplifier applications due to its low distortion characteristics.
10. What is the typical gate charge of the CGHV1F006S at a specified voltage and current?
The typical gate charge of the CGHV1F006S is 20 nC at a voltage of 10 V and a drain current of 3 A.
The maximum drain-source voltage rating for the CGHV1F006S is 650 volts.
2. What is the typical input capacitance of the CGHV1F006S at a specified voltage and frequency?
The typical input capacitance of the CGHV1F006S is 440 pF at a voltage of 25 V and a frequency of 1 MHz.
3. Can the CGHV1F006S be used in high-frequency applications?
Yes, the CGHV1F006S is suitable for high-frequency applications due to its low input and output capacitance.
4. What is the maximum continuous drain current for the CGHV1F006S?
The maximum continuous drain current for the CGHV1F006S is 6 A.
5. Does the CGHV1F006S require an external matching network for optimal performance?
Yes, the CGHV1F006S requires an external matching network for optimal performance in RF applications.
6. What is the typical on-state resistance of the CGHV1F006S?
The typical on-state resistance of the CGHV1F006S is 0.35 ohms.
7. Is the CGHV1F006S suitable for use in Class AB amplifier designs?
Yes, the CGHV1F006S is suitable for use in Class AB amplifier designs due to its high power handling capability.
8. What is the recommended operating temperature range for the CGHV1F006S?
The recommended operating temperature range for the CGHV1F006S is -55°C to 150°C.
9. Can the CGHV1F006S be used in linear amplifier applications?
Yes, the CGHV1F006S can be used in linear amplifier applications due to its low distortion characteristics.
10. What is the typical gate charge of the CGHV1F006S at a specified voltage and current?
The typical gate charge of the CGHV1F006S is 20 nC at a voltage of 10 V and a drain current of 3 A.
CGHV1F006S Связанные ключевые слова
:
CGHV1F006S Цена
CGHV1F006S Картина
CGHV1F006S Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"CGHV"
series
products
