BLF6G10LS-200RN:11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B

Дискретные полупроводниковые приборы SOT-502B

Номер производителя:

BLF6G10LS-200RN:11

Производитель:

Ampleon USA Inc.

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

Описание:

RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

BLF6G10LS-200RN:11 Таблицы данных(PDF)

Current - Test :

1.4A

Current Rating :

49A

Frequency :

871.5MHz ~ 891.5MHz

Gain :

20dB

Noise Figure :

Package / Case :

SOT-502B

Packaging :

Tray

Part Status :

Active

Power - Output :

40W

Series :

Supplier Device Package :

SOT502B

Transistor Type :

LDMOS

Voltage - Rated :

65V

Voltage - Test :

28V

в наличии

57,664

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

BLF6G10LS-200RN:11 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BLF6G10LS-200RN:11 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BLF6G10LS-200RN:11. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BLF6G10LS-200RN:11. Нажмите, чтобы получить предложение

BLF6G10LS-200RN:11 Особенности

BLF6G10LS-200RN:11 is produced by Ampleon USA Inc., belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ, in addition , its frequency is 871.5MHz ~ 891.5MHz, the size is SOT-502B, and Tray is its most common packaging method, which belongs to the - series, using SOT502B.

BLF6G10LS-200RN:11 Подробная информация о продукции

BLF6G10LS-200RN:11 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ, буферные усилители, разработанные и произведенные Ampleon USA Inc..
BLF6G10LS-200RN:11 производства Ampleon USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BLF6G10LS-200RN:11 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BLF6G10LS-200RN:11 (PDF), цена BLF6G10LS-200RN:11, Распиновка BLF6G10LS-200RN:11, руководство BLF6G10LS-200RN:11 и решение на замену BLF6G10LS-200RN:11.

BLF6G10LS-200RN:11 FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage rating for BLF6G10LS-200RN:11?
The maximum drain-source voltage rating for BLF6G10LS-200RN:11 is 200 volts.

2. What is the typical output power of BLF6G10LS-200RN:11 at 2.14 GHz?
The typical output power of BLF6G10LS-200RN:11 at 2.14 GHz is 10 watts.

3. What is the typical gain of BLF6G10LS-200RN:11 at 2.14 GHz?
The typical gain of BLF6G10LS-200RN:11 at 2.14 GHz is 13 dB.

4. What is the maximum drain efficiency of BLF6G10LS-200RN:11 at 2.14 GHz?
The maximum drain efficiency of BLF6G10LS-200RN:11 at 2.14 GHz is 65%.

5. What is the recommended operating voltage for BLF6G10LS-200RN:11?
The recommended operating voltage for BLF6G10LS-200RN:11 is 32 volts.

6. What is the typical input capacitance of BLF6G10LS-200RN:11?
The typical input capacitance of BLF6G10LS-200RN:11 is 150 pF.

7. What is the maximum junction temperature for BLF6G10LS-200RN:11?
The maximum junction temperature for BLF6G10LS-200RN:11 is 200°C.

8. What is the typical thermal resistance from junction to case for BLF6G10LS-200RN:11?
The typical thermal resistance from junction to case for BLF6G10LS-200RN:11 is 0.83°C/W.

9. What is the recommended storage temperature range for BLF6G10LS-200RN:11?
The recommended storage temperature range for BLF6G10LS-200RN:11 is -65°C to +150°C.

10. What is the typical input power for 50% drain efficiency of BLF6G10LS-200RN:11 at 2.14 GHz?
The typical input power for 50% drain efficiency of BLF6G10LS-200RN:11 at 2.14 GHz is 5.5 watts.

BLF6G10LS-200RN:11 Связанные ключевые слова

BLF6G10LS-200RN:11 Цена

BLF6G10LS-200RN:11 Техническая спецификация

BLF6G10LS-200RN:11 Картина

BLF6G10LS-200RN:11 PDF

BLF6G10LS-200RN:11 Технические характеристики

BLF6G10LS-200RN:11 Напряжение на выводе

BLF6G10LS-200RN:11 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

Contains "BLF6" series products

BLF6G05LS-200RN,11

RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B
BLF6G05LS-200RN:11

RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B
BLF6G05LS-200RN:11

RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B
BLF6G10-135RN,112

RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A
BLF6G10-135RN,112

RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A
BLF6G10-160RN,112

RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A
BLF6G10-160RN,112

RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A
BLF6G10-200RN,112

RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
BLF6G10-200RN,112

RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
BLF6G10-45,112

RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A